Série · Électricité et électronique
Transistors
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Série « Transistors » sur Wikicard : 31 cartes tirées de Wikipédia, dont Transistor bipolaire à grille isolée, Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, Transistor. Terminée, elle donne un badge brodé « Argent », dessiné pour elle.
Ses cartes
TransistorLégendaireLe transistor est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou d'amplifier des tensions et des courants électriques.
Transistor à effet de champ à grille métal-oxydeÉpiqueUn transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor…
Transistor bipolaireÉpiqueUn transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur de la famille des transistors.
Transistor bipolaire à grille isoléeÉpiqueLe transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais insulated-gate bipolar transistor) est un dispositif à semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé…
Transistor à effet de champÉpiqueUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif à semi-conducteur de la famille des transistors.
Transistor en couches mincesRareLe transistor en couches minces (TCM, en anglais TFT, Thin-film transistor) est un type de transistor à effet de champ formé par le dépôt successif de plusieurs couches minces…
FinFETRareFinFET) est un dispositif multi-grilles (en), un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée…
Junction Field Effect TransistorRareJunction Field Effect Transistor) est un transistor à effet de champ dont la grille est directement en contact avec le canal.
PMOSRarePMOS (métal–oxyde–semiconducteur) est une famille de circuits numériques utilisant des transistors à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFETs) à canal p, à enrichissement (en)._8.6.17.svg?width=320)
Transistor DarlingtonRareLe transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires de même type (tous deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des…- MODFETPeu communeLe MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET).
Transistor unijonctionPeu communeUn transistor unijonction (souvent appelé UJT, d'après le sigle anglais "UniJonction Transistor") est une sorte de transistor qui n'est composé que d'une seule jonction.
Diélectrique high-kPeu communeUn diélectrique high-κ (high-κ dielectric) est un matériau avec une constante diélectrique κ élevée (comparée à celle du dioxyde de silicium) utilisé dans la fabrication de…
Self-aligned gatePeu communeUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, en silicium…- Drain et sourcePeu communeEn électronique, le drain et la source sont les deux électrodes principales d'un transistor à effet de champ (la troisième est la grille).
- Collecteur et émetteurCommuneEn électronique, le collecteur et l'émetteur sont les électrodes principales du transistor bipolaire (l'autre étant la base).
- Effet EarlyCommuneL'effet Early est un phénomène physique qui se manifeste dans la région de fonctionnement linéaire d'un transistor bipolaire.
Transistor à contact ponctuelCommuneLe transistor à contact ponctuel (point-contact transistor, en anglais) est le premier transistor fonctionnel de l'histoire de l'électricité et de l'électronique, inventé en 1947…
Ion Sensitive Field Effect TransistorCommuneIon Sensitive Field Effect Transistor, est un type de transistor à effet de champ dont la broche gate est sensible aux variations de concentration en ions.- LDMOSCommuneLe LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor, en français : semi-conducteur-métal-oxyde diffusé latéralement) est un MOSFET planar à double diffusion (transistor à effet…
- DMOSCommuneDMOS est un sigle qui signifie : Double-diffused metal–oxide–semiconductor, un transistor de type MOS utilisé en électronique de puissance ; Descriptif de Mode Opératoire de…
Carbon Nanotube Field Effect TransistorCommuneCarbon Nanotube Field Effect Transistor) est un dispositif électronique de commutation de type transistor à effet de champ, utilisant des nanotubes de carbone.
Transistor à effet tunnelCommuneLe transistor à effet tunnel (TFET) est un type de transistor encore expérimental.- NeutrodynageCommuneLe neutrodynage est une technique de réaction négative (contre-réaction locale) utilisée pour stabiliser l'effet de la capacité parasite base-collecteur (dans le cas d'un…
Transistor à effet de champ chimiqueCommuneUn Transistor à effet de champ chimique (ChemFET, ou Chemical Field Effect Transistor en anglais), est un type de transistor à effet de champ agissant comme un capteur chimique.- Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCommuneUn Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (EOSFET) est un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET) dont le métal est remplacé par un électrolyte.
Schottky Barrier MOSFETCommuneLe transistor MOSFET à contacts source et drain Schottky (ou Schottky Barrier (SB) MOSFET) est basée sur une structure MOS à deux jonctions Schottky en lieu et place des zones de…- Transistor électrochimique organiqueCommuneLe transistor électrochimique organique (abrégé en OECT en anglais) est un dispositif électronique organique qui fonctionne de manière analogue à un transistor.
- Effet KirkCommuneL'effet Kirk est un effet parasite du transistor bipolaire qui consiste en l'élargissement de la zone de base au détriment de la zone collecteur à la suite d'une forte densité de…
Transistor à atome uniqueCommuneUn transistor à atome unique est un dispositif qui peut ouvrir et fermer un circuit électrique par le repositionnement contrôlé et réversible d'un seul atome.- Equivalent Oxide ThicknessCommuneL'equivalent oxide thickness (« épaisseur d'oxyde équivalente » en anglais) ou EOT, généralement exprimée en nanomètres (nm), est l'épaisseur d'une couche de SiO 2 {\displaystyle…
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