Nitrure de gallium-indium

Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, InxGa1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN). C'est un composé à gap direct, dont la largeur de bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en …